RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3444
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link