RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
73
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link