RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
73
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
73
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link