RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
73
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1744
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link