RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1908
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link