RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link