RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
26
周辺 8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
11.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
26
読み出し速度、GB/s
16.0
15.4
書き込み速度、GB/秒
12.5
11.4
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
2758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link