RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2758
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link