RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link