RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 34
    Около 29% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2902

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
модули RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
модули RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
модули RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
модули RAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
модули RAM