RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
61
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
61
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link