RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4032
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link