RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
61
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
61
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link