RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
73
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
73
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
1468
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link