RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3592
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link