RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
32
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2271
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link