RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
101
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
3.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
101
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
3.7
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1129
1313
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link