RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
75
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3428
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link