RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3257
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link