RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
85
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
85
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
1118
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link