RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
75
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2232
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link