RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
62
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1917
1586
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link