RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
76
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
76
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1718
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link