RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
27
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
21
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3356
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link