RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2107
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link