RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
2920
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Mushkin 996902 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link