RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Porównaj
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Wynik ogólny
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K531R8-MIN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony 57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
65
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
1824
Kingston K531R8-MIN 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link