RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
72
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
72
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
1817
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link