RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
76
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
76
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1809
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link