RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
75
76
Около 1% меньшая задержка
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
76
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
1809
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link