RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
75
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2591
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link