RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
75
Wokół strony -226% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
2591
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link