RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
72
75
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
72
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1817
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link