RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2499
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link