RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Porównaj
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
50
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,905.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
31
Prędkość odczytu, GB/s
5,143.3
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,905.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2330
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link