Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

34 40

Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.7 13.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.3 8.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 10600

Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2035 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns