RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.9
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1647
2426
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link