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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
6.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.9
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1647
2426
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
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