RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
6.9
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1647
2426
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link