RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
58
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2855
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link