RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3217
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link