RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
51
Около -155% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
20
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3217
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link