RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
51
Por volta de -155% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
20
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
15.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3217
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link