RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
51
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3529
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link