RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3529
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link