RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1335
2816
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link