RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
72
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
72
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1982
1817
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link