RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
3706
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link