RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
47
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2308
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link