RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
47
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2308
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link