RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
78
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
78
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1584
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link