RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
78
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
78
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
1584
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link