RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
92
Wokół strony -411% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3704
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link